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      介紹真空斷路器中真空的絕緣特性
      發(fā)布日期:2023-07-29    關(guān)注次數(shù):126
      真空的絕緣性能

            真空具有很強(qiáng)的絕緣特性,在真空斷路器中,氣體十分稀薄,且氣體分子的自由行程比較大,相互碰撞的機(jī)會很小,因此,真空間隙擊穿的主要原因不是碰撞游離,而是電極析出的金屬質(zhì)點(diǎn)在高強(qiáng)電場作用下造成絕緣破壞。

            真空隙中的絕緣強(qiáng)度不僅與間隙大小、電場均勻程度有關(guān),還受電極材料的性質(zhì)和表面狀況的影響。在較小的距離間隙(2-3毫米)情況下,真空間隙具有高于高壓力空氣和sf6氣體的高絕緣特性,這也是為什么真空斷路器的觸頭開距普遍不大的原因。

            電極材料對擊穿電壓的影響主要表現(xiàn)在金屬材料的機(jī)械強(qiáng)度(拉伸強(qiáng)度)和熔點(diǎn)?估瓘(qiáng)度、熔點(diǎn)越高,真空條件下電極的絕緣強(qiáng)度就越高。

            實(shí)驗(yàn)表明,真空越高,擊穿氣隙的電壓就越高。但在10-4 托以上,就基本不變了,因此,真空滅弧室要保持絕緣強(qiáng)度,其真空度應(yīng)不低于10-4托。
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